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机译:功率MOSFET正常和逻辑分布式参数的统计提取
Kyoto Univ Grad Sch Informat Kyoto 6068501 Japan;
Nara Inst Sci & Technol Grad Sch Sci & Technol Ikoma 6300192 Japan;
Kyoto Univ Grad Sch Informat Kyoto 6068501 Japan;
Integrated circuit modeling; Semiconductor device modeling; MOSFET; Gaussian distribution; Parameter extraction; Mathematical model; Silicon carbide; Parameter extraction; statistical compact modeling; power MOSFET; characteristic variation;
机译:基于瞬态电流测量的功率MOSFET自热模型参数提取与比较
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