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机译:近界面网络应变对SiO / sub 2 /中质子俘获的影响
机译:具有恒电容深型瞬态光谱的SiO_2 / SiC近接口氧化物阱的表征
机译:通过掺磷去除SiO2 / 4H-SiC(0001)界面处的近界面陷阱
机译:通过掺磷去除SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面处的近界面陷阱
机译:具有恒电容深型瞬态光谱的SiO_2 / SiC近接口氧化阱的表征
机译:I.弹性蛋白模型化合物的热弹性和弹性性质的理论研究。二。 PDMS网络中圈闭聚二甲基硅氧烷(PDMS)链的模型以及骨干反演对PDMS构造特性的影响。三,聚(甲基-苯乙烯基)甲基质子核磁共振谱的理论研究。
机译:困在ZrO2TiO2和SiO2半透明干凝胶中的四吡咯大环的光学和质构性质的比较研究
机译:al $ _2 $ O $ _3 $ / 4H-siC和al的近界陷阱比较 al $ _2 $ O $ _3 $ / siO $ _2 $ / 4H-siC结构
机译:近界面网络应变对siO2中质子迁移率的影响