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【24h】

Parameterization of neutron-induced SER in bulk SRAMs from reverse Monte Carlo Simulations

机译:反向蒙特卡洛模拟中大块SRAM中中子感应SER的参数化

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摘要

We used a reverse Monte Carlo method for calculating SEU cross section within the RPP approximation. The method allows reducing calculation times and accounting for long range particles which may be involved in a failure even if produced far from the sensitive volume. A global parameterization of the Soft Error Rate is given as a function of the sensitive volume size and the critical charge. This parameterization allows obtaining quickly the SER of a generic structure, which may be used as a useful guideline.
机译:我们使用反向蒙特卡洛方法来计算RPP近似值内的SEU横截面。该方法可以减少计算时间,并考虑可能产生故障的长距离粒子,即使它们离敏感体积太远也是如此。根据错误的体积大小和临界电荷,给出软错误率的全局参数设置。通过此参数化,可以快速获取通用结构的SER,可用作有用的指导。

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