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机译:24-GeV质子辐照对0.13-μμmCMOS器件的影响
CMOS; high-energy physics experiments; ultra-thin gate oxides; CMOS; high-energy physics experiments; ultra-thin gate oxides;
机译:一个53nW 9.1-ENOB 1-kS / s SAR ADC,采用0.13-μmCMOS封装,用于医疗植入设备
机译:采用0.18 / spl mu / m片上系统CMOS技术的多阈值电压和多击穿电压CMOS器件设计点的质子公差
机译:60 MeV质子辐照0.13 / spl mu / m CMOS晶体管的短通道辐射效应
机译:24-GEV质子辐射对0.13的影响 - MCOS器件
机译:采用0.13μmCMOS的5.8mW完全集成式多千兆赫频率合成器
机译:适用于AlN PMUT阵列的微型0.13μmCMOS前端模拟
机译:24-GeV质子辐照对0.13μmCMOS器件的影响