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机译:总电离剂量对三星8Gb NAND闪存中单事件效应灵敏度的影响
Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA;
Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA;
Jet Propulsion Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, CA, USA;
Ions; Flash memories; Radiation effects; Propulsion; Nonvolatile memory; Temperature measurement; Solids;
机译:3-D NAND闪存中的总电离剂量效应
机译:质子辐照下总电离剂量对静态随机存取记忆中单事件翻转敏感性的协同作用
机译:总电离剂量对浮栅电池单事件效应灵敏度的影响
机译:用于大剂量任务的商用三星NAND闪存的总电离剂量测量
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:9月11日的恐怖袭击事件的长期记忆:Flashbulb MemoriesEvent Memories以及影响其保留的因素
机译:25nm NAND闪存中总电离剂量响应的统计分析