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机译:从InAs / GaAs量子点激光二极管测量的光学特性和线宽增强因子
Korea Univ., Seoul;
III-V semiconductors; gallium arsenide; ground states; indium compounds; quantum dot lasers; semiconductor quantum dots; InAs-GaAs; InAs/GaAs quantum dot laser diodes; continuous wave operation; differential gain; ground state; kink-free output power; linewidth enhancement factor; wavelength 1286 nm; wavelength shift; laser diodes; laser diodes (LDs); quantum dot; quantum dot (QD);
机译:通过Direct Si掺杂改善了1.3μm/ GaAs量子点激光器的线宽增强因子
机译:1.3- $ muhbox {m} $ InAs; GaAs量子点激光器中的增益压缩和阈值线宽增强因子
机译:p型掺杂InAs / GaAs量子点激光器以1.3μm发射的温度不敏感线宽增强因子
机译:InAs / GaAs量子点DFB激光器的增益压缩系数和阈值线宽增强因子
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:通过Direct Si掺杂改进了1.3μm/ GaAs量子点激光器的线宽增强因子。