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机译:用于RFIC应用的SiGe HBT低频噪声品质因数的建模和表征
Electr. & Comput. Eng. Dept., Auburn Univ., AL, USA;
Ge-Si alloys; semiconductor materials; heterojunction bipolar transistors; UHF bipolar transistors; microwave bipolar transistors; semiconductor device models; semiconductor device noise; semiconductor device breakdown; flicker noise; phase noise; cu;
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