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机译:使用膜技术在150–300 GHz之间运行的InP DHBT放大器模块
Gigahertz Centre and Microwave Electronics Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden;
DH-HEMTs; Gain; Indium phosphide; Loss measurement; Probes; Substrates; Waveguide transitions; Amplifier; WR03; WR05; double heterojunction bipolar transistor (DHBT); indium phosphide (InP); membrane; multilayer; waveguide packaging; waveguide transition;
机译:使用InP DHBT放大器的300 GHz矢量和移相器
机译:使用0.5μmInP DHBT技术的180至240 GHz宽带,基于EM的功率放大器
机译:250 nm InP DHBT技术中的$ H $波段(220–325 $〜$ GHz)放大器的设计与表征
机译:具有150 nm集电极,30 nm基极的亚300 nm InGaAs / InP I型DHBT,展示755 GHz fmax和416 GHz f驴
机译:为设计工作在11.8 GHz和12.5 GHz之间的离散缓冲放大器的分步过程开发。
机译:操作条件在中空纤维正向渗透膜组件中试研究中的作用
机译:Inp DHBT技术中低转换损耗94 GHz和188 GHz倍频器
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器