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机译:GaN HEMT中捕获时间常数的准确表征
DETI Instituto de Telecomunicações Universidade de Aveiro Aveiro Portugal;
DETI Instituto de Te;
HEMTs; Gallium nitride; MODFETs; Transient analysis; Electron traps; Radar; Electric potential;
机译:GaN HEMT的热时间常数的微观拉曼实验表征
机译:GaN HEMT晶体管中用于长时间常数的无热测量技术陷阱表征
机译:基于数据表的GAN HEMTS的完整特征分析模型,用于死区时间优化
机译:深层陷阱的捕获时间常数及其对非线性GaN HEMT建模的影响
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:用微拉曼测温法实现GaN HEmT热时间常数的表征