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机译:过渡金属掺杂的WS 2 sub>单层的电子和磁性第一性原则调查
Sookmyung Womens Univ, Inst Adv Mat & Syst, Seoul 04310, South Korea;
Sookmyung Womens Univ, Dept Appl Phys, Seoul 04310, South Korea;
Magnetic state; spin density; transition-metal (TM) dopant; WS2 monolayer;
机译:Mn掺杂的结构,电子,磁性和光学性质和Mn-x(X = F,Cl,Br,I和AT)共掺杂单层WS2:一项第一原理研究
机译:所有3d过渡金属掺杂ZnO单层的电子和磁性
机译:双轴菌株WS2和WSE2单层的电子性质:一项研究
机译:从第一原理的二维MOS_2,WS_2和MO_(0.5)S_2的电子和光学特性
机译:界面电子特性的第一性原理研究。
机译:掺杂O的纯净和硫空缺缺陷单层WS2的电子性质:第一性原理研究
机译:O-掺杂纯净和硫空位缺陷单层WS2的电子性质:一项第一原理研究