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王硕; 赵辉;
天津师范大学物理与材料科学学院,天津300387;
第一性原理; 过渡金属掺杂; 氢化镁(MgH2); 稀磁半导体; 铁磁性能;
机译:用于自旋电子学的过渡金属掺杂SiC单层结构,电子和磁性能的第一性原理研究
机译:过渡金属掺杂立方氮化铟的电子结构和磁性的第一性原理研究
机译:3d过渡金属掺杂的锐钛矿型TiO2的电子结构和磁性的第一性原理研究
机译:气相热扩散法合成过渡金属掺杂ZnSe晶体的第一性原理研究
机译:二维过渡金属二硫属元素化物与磷同素异形体的结构-力学性质关系的第一性原理研究
机译:3d过渡金属掺杂的黑色和蓝色磷光体中的稀磁半导体和半金属行为:第一性原理研究
机译:三种过渡金属掺杂的黑色和蓝色磷光体中的稀磁半导体和半金属行为:第一性原理研究
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。
机译:具有室温铁磁性能的过渡金属掺杂氧化物半导体及通过检测磁性能变化来检测气体的方法
机译:过渡金属掺杂氧化物半导体,具有室温铁磁性能
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