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Inclusion of Chemical-Mechanical Polishing Variation in Statistical Static Timing Analysis

机译:统计静态时序分析中包括化学机械抛光变化

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摘要

Technology trends show the importance of modeling process variation in static timing analysis. With the advent of statistical static timing analysis (SSTA), multiple independent sources of variation can be modeled. This paper proposes a methodology for modeling metal interconnect process variation in SSTA. The developed methodology is applied in this study to investigate metal variation in SSTA resulting from chemical-mechanical polishing (CMP). Using our statistical methodology, we show that CMP variation has a smaller impact on chip performance as compared to other factors impacting metal process variation.
机译:技术趋势显示了在静态时序分析中对过程变化进行建模的重要性。随着统计静态时序分析(SSTA)的出现,可以对多个独立的变化源进行建模。本文提出了一种在SSTA中建模金属互连工艺变化的方法。在本研究中应用了开发的方法,以研究由化学机械抛光(CMP)导致的SSTA中的金属变化。使用我们的统计方法,我们发现与影响金属工艺变化的其他因素相比,CMP变化对芯片性能的影响较小。

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