机译:具有局部活性S型NbO x sub>忆阻器的图形形成
Tech Univ Dresden, Inst Circuits & Syst, Fac Elect & Comp Engn, D-01062 Dresden, Germany;
Nanoelect Mat Lab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany;
Tech Univ Dresden, Inst Circuits & Syst, Fac Elect & Comp Engn, D-01062 Dresden, Germany;
Tech Univ Dresden, Inst Circuits & Syst, Fac Elect & Comp Engn, D-01062 Dresden, Germany;
Nanoelect Mat Lab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany|Tech Univ Dresden, Inst Semicond & Microsyst, Fac Elect & Comp Engn, D-011062 Dresden, Germany;
Nanoelect Mat Lab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany;
Local activity; edge-of-chaos; memristor; nonlinear dynamics; pattern formation;
机译:NbO_x中S型负差分电阻的精确局部有源忆阻器模型
机译:双稳态局部活动回忆函数分数级最简单混沌电路的瞬态转换行为及其基于ARM的实现
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机译:局部活动NBOX忆失函数的M-CNN中图案形成的分析研究
机译:一维和二维的主动图案形成。
机译:使用活动信息存储测量驾驶模拟器实验中的可视扫描模式中的各个单一的差异
机译:S型NBO X局部活动忆故忆的简单建模
机译:由活动和被动变形引起的固定接头和断裂痕迹的表面几何形状