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机译:基于氮化物的具有双面图案蓝宝石衬底的大功率倒装芯片LED
electroluminescence; flip-chip devices; light emitting diodes; sapphire; substrates; 121.5 mW; 3.24 V; 3.25 V; 3.26 V; 350 mA; 79.3 mW; 98.1 mW; Al2O3; double-side patterned sapphire substrate; electroluminescence; flip-chip LED; light-emitting dio;
机译:基于氮化物的具有双面图案蓝宝石衬底的大功率倒装芯片LED
机译:基于InGaN的大功率倒装芯片LED及其深孔图案蓝宝石衬底的激光直接光束钻孔
机译:使用双面蓝宝石衬底的倒装芯片发光二极管具有更高的视角和光提取效率
机译:双面球形帽状图案蓝宝石衬底提高了GaN基倒装芯片LED的光提取效率
机译:氮化镓在具有蛇形通道的图案化蓝宝石衬底上异质外延生长。
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:通过蓝宝石衬底双面图案化提高发光二极管性能