机译:腔模式-具有3mW单模发射功率和10Gb / s调制速度的1320nm晶圆融合VCSEL的增益峰值折衷,最高可达70 $ ^ {circ} $ C
III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; indium compounds; laser cavity resonators; laser modes; optical communication equipment; optical modulation; photoluminescence; red shift; surface emitting lasers; 10 Gbit/s; 1320 nm; 25 degC; 3 mW; 3.1 mW; 40;
机译:用于DWDM应用的6mW单模高速1550nm晶圆融合VCSEL
机译:MOVPE在InP衬底上生长的基于AlGalnAsPSb的高速短腔VCSEL,具有1.3 Jim的单模发射
机译:1.5- / splμm/ m动态单模单片复合腔半导体激光器中增益切换调制下的超高频自脉动:实验和理论
机译:1.3µm InGaAlAs / InP-AlGaAs / GaAs晶片融合VCSEL,调制速度高达10Gb / s,最高可达100°C
机译:单模锥形半导体光放大器的高功率,高增益,衍射极限发射。
机译:高功率单模半导体激光器的调制带宽:拐点增益饱和的影响