机译:预退火和受激准分子激光退火实现高性能Ge p-n光电二极管
Department of PhysicsSemiconductor Photonics Research Center, Xiamen University, Xiamen, China;
Excimer laser annealing; germanium; high responsivity; low dark current; photodiode; pre-annealing;
机译:低温预退火和准分子激光退火形成的锗n + sup> / p浅结,其记录整流比达到记录
机译:通过注入和受激准分子激光退火实现的对n-Ge和具有Weil行为的Ge n〜+ / p二极管的低比接触电阻率
机译:XeCl准分子激光氢化非晶硅薄膜制成的高性能TFT
机译:用于AMLCDS的准分子激光退火系统:高性能,均匀稳定的TFT的长激光脉冲。
机译:基准激光退火Si薄膜的微观结构分析与表面平面
机译:激光退火可修复雪崩光电二极管中的辐射损伤
机译:通过注入和受激准分子激光退火实现的对n-Ge和行为良好的Ge n(+)/ p二极管的低比接触电阻率
机译:准分子激光退火制造低成本太阳能电池。 1984年10月1日至12月31日第3号季度技术报告