机译:635 nm拉伸应变GaInP激光二极管的优化
Fermi level; III-V semiconductors; band structure; current density; gallium compounds; indium compounds; laser theory; light polarisation; optimisation; quantum well lasers; semiconductor quantum wells; spontaneous emission; transparency; 200 K; 635 nm; 635-nm laser st;
机译:635 nm拉伸应变GaInP激光二极管的优化
机译:优化635-NM拉伸应变GaInP激光二极管
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机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)