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机译:氮对InyGa1-yAs1-xNx-GaAs量子阱的能带结构和材料增益的影响
III-V semiconductors; carrier density; conduction bands; effective mass; gallium arsenide; indium compounds; quantum well lasers; semiconductor quantum wells; 1.55 micron; InGaAsN-GaAs; band anticrossing model; band structure engineering; band-edge effective masses;
机译:氮对In / sub y / Ga / sub 1-y / As / sub 1-x / N / sub x / -GaAs量子阱的能带结构和材料增益的影响
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