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机译:使用InAs / GaAs量子点双层膜的1550 nm GaAs基激光器
EPSRC National Center for III–V Technologies, University of Sheffield, Sheffield, U.K.;
Molecular beam epitaxy; QD lasers; quantum dots (QDs); semiconductor lasers;
机译:基于GaAs的1.3μmInAs / InGaAs量子点激光器中的两态激光模态增益和光致发光研究
机译:分子束外延生长的基于GaAs的长波长InAs双层量子点
机译:1.3和1.5μm发光二极管基于GaAs的InAs / InGaAs和InAs /(Ga,In)(N,As)自组装量子点的比较研究
机译:含有InAs-GaAs亚单层量子点插入物的〜850 nm GaAs基垂直腔表面发射激光器(VCSEL),可实现20 Gbit / s的无错误传输
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:具有飞秒光纤激光器应用的短周期超晶格封盖结构的1550 nm InAs / GaAs量子点可饱和吸收镜的开发
机译:开发1550纳米INAS / GAAS量子点可饱和吸收镜,带有短段超晶格覆盖结构,朝向飞秒光纤激光应用