机译:应变量子阱结构中微分增益的理论研究
机译:InGaAsP / InP应变层量子阱激光器中应变和量子约束对微分增益的纯效应的理论分析
机译:GaInP / AlGaInP压缩应变量子阱的价子带结构和光学增益的理论分析
机译:1.3- / splμm/ m应变层多量子阱激光器中差分增益和外部差分量子效率的壁垒成分依赖性
机译:1.3 / spl mu / m应变量子阱激光器的光学增益和微分增益的解析表达式
机译:量子约束发射器的光谱增益测量以及子带间量子盒激光器结构的设计与制造
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:对称应变(GaIn)As / Ga(PAs)多量子阱结构的磁光研究
机译:应变InGaas / alGaas量子阱的理论增益,包括价带混合效应