混合应变量子阱SOA的增益特性

摘要

报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50 nm,偏振相关损耗小于1 dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩,增益下降.高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈.