...
机译:FINFET专用技术方案的开发和比较分析
ITM Универсимем, Ин(б)ия, Гвалиор;
ITM Универсимем, Ин(б)ия, Гвалиор;
ITM Универсимем, Ин(б)ия, Гвалиор;
ITM Универсимем, Ин(б)ия, Гвалиор;
технология FinFET; низкая мощность; помехоустойчивость; эффект короткого канала; мощность тока утечки;
机译:新型FinFET的数值模拟:非对称多晶硅栅极FinFET和TiN栅极FinFET
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:基于建模和仿真的量子FinFET和三栅极FinFET的比较分析
机译:在32 nm技术上连接的DG FINFET,TG FINFET和独立栅极FINFET的特性比较
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:用于子30 nm DRAM细胞晶体管的部分隔离型马趾FINFET(PI-FINFET)