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机译:四分之三的平面中的边缘错位。第一部分:影响功能
Department of Engineering Science, University of Oxford, Parks Road, OX1 3PJ, Oxford, UK;
机译:四分之三的平面中的边缘错位。第二部分:边缘裂纹的应用
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机译:位错核心对bcc-iron中1/2 <111> i {110}边缘位错滑移的影响:嵌入式原子方法研究
机译:以脱位污染函数为硅脱位对少数载波扩散长度的影响
机译:镉单晶中位错速度和移动位错密度的测量与应变和应变率的关系。
机译:二维石墨烯通道对H2 / CH4分离的见解:边缘功能化的影响
机译:电场对共晶中边缘位错的影响
机译:边缘和角落对表层潜在功能的影响