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Oxford tackles graphene growth

机译:牛津应对石墨烯增长

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摘要

A new way of growing graphene without the defects that weaken it and prevent electrons from flowing freely within it could open the way to large-scale manufacturing of graphene-based devices with applications in electronics, energy, and healthcare. A team led by Oxford University researchers has overcome a key problem of growing graphene - a one atom-thick layer of carbon - when using the established technique of chemical vapour deposition. The problem is that the tiny flakes or domains of graphene form with random orientations, leaving defects or "seams" between flakes that grow together.
机译:一种生长没有缺陷的石墨烯新方法,该缺陷会削弱石墨烯并防止电子在其中自由流动,这可能为大规模制造基于石墨烯的器件开辟道路,并将其应用于电子,能源和医疗保健领域。牛津大学研究人员领导的一个团队在使用已建立的化学气相沉积技术时,克服了生长石墨烯(一个单原子碳层)的关键问题。问题在于,微小的薄片或石墨烯域以随机的方向形成,在一起生长的薄片之间留下缺陷或“接缝”。

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  • 来源
    《Environmental engineering》 |2013年第1期|8-8|共1页
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