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机译:使用氮化镓栅极注入晶体管的2kW,效率95%的感应功率传输系统
Centre of Excellence in IC Design, Nanyang Technological University, Singapore;
Nanyang Technological University, Singapore;
Gallium nitride; Logic gates; Inverters; Resonant frequency; Switches; Silicon carbide; Bridge circuits;
机译:E模式镓氮化物高电子迁移率晶体管对空肠无线电力传输系统波形失真对P型栅极的影响
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:无线电力传输系统波形失真的机制,由非藻氮化镓晶体管特性引起
机译:用于下一代功率电子设计的氮化镓栅极注入晶体管的精确紧凑模型
机译:使用氮化镓功率晶体管的高效开关模式E类功率放大器。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:使用氮化镓功率晶体管的电动车辆电感电力传输
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。