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机译:CMOS或TTL时钟发生器 - 哪一个最好?
机译:自偏置NAND门及其在极低压CMOS LSIS的非重叠时钟发生器的应用
机译:2.3 MW多频时钟发生器,具有-137 DBC / Hz相位噪声VCO,180 NM Digital CMOS技术
机译:在65nm CMOS中为1.45 GHz全数字扩频时钟发生器,用于无同步SOC应用
机译:具有三模模式的4.19MHz实时时钟发生器设计可在0.18um CMOS中实现快速建立,电流降低和低噪声
机译:温度补偿的CMOS和MEMS-CMOS振荡器,用于时钟发生器和频率基准。
机译:超越CMOS纳米磁体管道的非易失性时钟自旋波互连
机译:设计一种面向基于17.22 MHz MEMS的Si振荡器的新型高增益CMOS放大器,以实现具有成本效益的时钟发生器IC