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机译:2.3 MW多频时钟发生器,具有-137 DBC / Hz相位噪声VCO,180 NM Digital CMOS技术
Thapar Inst Engn & Technol ECED Patiala Punjab India;
Thapar Inst Engn & Technol ECED Patiala Punjab India;
Thapar Inst Engn & Technol ECED Patiala Punjab India;
Phase-locked loop; VCO; CMOS inverter; digital CMOS; PFD;
机译:1.23 GHz单片CMOS VCO,在3 MHz偏移下具有-137 dBc / Hz的相位噪声
机译:90 nm CMOS中的15 GHz,182 dBc / Hz / mW FOM旋转行波VCO
机译:一个15 GHz,182个DBC / Hz / MW FOM,旋转行驶波VCO在90 nm CMOS中
机译:用于DECT,DCS1800和GSM900的差分调整1.73GHz-1.99GHz正交CMOS VCO,具有600 kHz偏移量的PHAMENOISE过度调谐范围 - 128dBC / Hz和-137dBC / Hz
机译:CMOS技术中低相位噪声压控振荡器(VCO)的比较研究。
机译:通过BEOL各向同性蚀刻获得的180nm CMOS技术中的共振MEMS压力传感器
机译:2.2GHz 7.6mW子采样pLL,带有-126dBc / Hz带内相位噪声和0.18μmCmOs中的0.15psrms抖动