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机译:评估短沟道硅MOS晶体管迁移率的耗尽电荷依赖性的新方法
Lab. de Phys. des Composants a Semicond., Grenoble, France;
carrier mobility; elemental semiconductors; insulated gate field effect transistors; silicon; MOS transistors; MOSFET characteristics; Si; body-to-gate transconductance ratio; channel length; charge sharing effect; dependency coefficient; depletion charge dependence; gate oxide capacitance ratio; mobility; scaling; short channel transistors;
机译:短沟道全耗尽双材料栅绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的新分析模型
机译:完全耗尽的短沟道双栅绝缘硅金属氧化物半导体场效应晶体管的二维分析建模
机译:短沟道全耗尽双材料栅极绝缘体上硅金属半导体场效应晶体管的新分析模型
机译:使用完全耗尽型绝缘体上硅器件的累积模式改善的迁移率和低闪烁噪声MOS晶体管的影响
机译:砷化铟铝/砷化铟镓/磷化铟增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管的铱基栅极结构的开发
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:使用综合耗尽模式模型评估耗尽型氧化物薄膜晶体管的迁移率
机译:Cs1:短沟道mOs晶体管的二维有限元电荷片模型