机译:金属-半导体-金属光电探测器对InGaAs / GaAs-on-GaAs超晶格的终身有限超快响应
Ecole Polytech. Federale de Lausanne, Switzerland;
III-V semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; metal-semiconductor-metal structures; photodetectors; semiconductor superlattices; 1.3 to 1.55 micron; GaAs substrate; InGaAs-GaAs; bias dependent responsivity; electro-optic sampling; lifetime limited ultrafast response; metal-semiconductor-metal photodetectors; superlattices;
机译:微米和亚微米InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的响应的偏振相关性
机译:InGaAs金属-半导体-金属光电探测器响应的理论研究
机译:空间电荷对InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的脉冲响应的影响
机译:超快离子注入InGaAs金属-半导体-金属光电探测器
机译:氮化镓上的超快金属-半导体-金属紫外光电探测器。
机译:用于短波红外应用的金属半导体金属GESN光电探测器
机译:一种新颖的,采用垂直腔表面发射激光二极管和InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的自由空间光学互连器件,用于Gbit / s射频/微波系统