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【24h】

Cavity length dependence of photopumped lasing properties of MOCVD-grown ZnSe/ZnMgSSe double-heterostructure

机译:MOCVD生长的ZnSe / ZnMgSSe双异质结构的光泵浦激光特性的腔长依赖性

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摘要

An internal loss of 4.6 cm/sup -1/ is estimated from the cavity length dependence of photopumped blue lasing at room temperature (RT) with a ZnSe/ZnMgSSe double-heterostructure (DH) grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). The low internal loss being comparable to that of molecular beam epitaxy (MBE)-grown DH, implies the feasibility of realising an MOCVD-grown DH device.
机译:根据在室温(RT)下通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的ZnSe / ZnMgSSe双异质结构(DH)的光泵浦蓝色激光的腔长相关性,估计内部损失为4.6 cm / sup -1 /。这种低内部损耗与分子束外延(MBE)生长的DH相当,这意味着实现MOCVD生长的DH器件的可行性。

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