机译:在GaAsP基板上通过GaInP / AlGaInP双异质结构激光二极管在570-590 nm的波长范围内进行高达200 K的激光操作
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji, Tokyo 185, Japan;
机译:超短波长(619 nm)AlGaInP / GaInP拉伸应变量子阱激光器的室温操作
机译:折射率引导的AlGaInP半导体激光器的激光波长与GaAs衬底[100]平面的偏角成函数关系
机译:650 nm波长AlGaInP自脉冲激光二极管的高温操作
机译:GaInP / AlGaInP异质结构和600 nm范围量子阱激光二极管的固体源分子束外延生长
机译:增益饱和重复性软X射线激光器,其波长范围为9-30 nm,并且发射到7.4 nm
机译:温度和可调谐二极管激光光谱激射波长的当前系数
机译:应变层GaInp / alGaInp激光二极管中的能级对准:压力 - 光致发光实验的模型固体理论分析