Low-power InP/GaAsSb/InP DHBT cascode transimpedance amplifier with GBP/P/sub dc/ of 7.2 GHz/mW

Wang J.; Zhu X.; Pavlidis D.

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Low-power InP/GaAsSb/InP DHBT cascode transimpedance amplifier with GBP/P/sub dc/ of 7.2 GHz/mW

机译：GBP / P / sub dc /为7.2 GHz / mW的低功率InP / GaAsSb / InP DHBT共源共栅跨阻放大器

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A low-power high gain-bandwidth monolithic cascode transimpedance amplifier using novel InP/GaAsSb/InP DHBT technology was investigated. The amplifier exhibited state-of-the-art performance of 17.3 dB gain, 12 GHz bandwidth, 55 dB/spl Omega/ transimpedance, and a corresponding gain-bandwidth of 6.7 THz/spl Omega/ while consuming only 12.2 mW DC power. It also achieved good gain-bandwidth-product per DC power figure-of-merit (GBP/P/sub dc/) of 7.2 GHz/mW

机译：研究了使用新型InP / GaAsSb / InP DHBT技术的低功耗高增益带宽单基共源共栅跨阻放大器。该放大器具有17.3 dB增益，12 GHz带宽，55 dB / spl Omega /跨阻和6.7 THz / spl Omega /的相应增益带宽的最新性能，同时仅消耗12.2 mW的DC功率。它还获得了7.2 GHz / mW的直流功率品质因数（GBP / P / sub dc /）良好的增益带宽乘积

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来源
《Electronics Letters 》 |2006年第1期| p.25-27| 共3页
作者
Wang J.; Zhu X.; Pavlidis D.;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术 ;
关键词
III-V semiconductors; MMIC amplifiers; bipolar MIMIC low-power InP/GaAsSb/InP;

机译：III-V半导体;MMIC放大器;双极MIMIC 低功率InP / GaAsSb / InP;

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