机译:1.54μmGaSb / AlGaSb多量子阱单片激光器,使用界面失配阵列在误切的Si衬底上生长于77K
Center for High Technology Materials, University of New Mexico, 1313 Goddard SE, Albuquerque, NM 87106, USA;
机译:使用界面失配阵列在GaAs衬底上整体生长的GalnSb / AlGaSb量子阱激光器的器件特性
机译:GaAsS / AlGaSb量子阱激光器通过界面失配阵列单片生长在GaAs衬底上的器件特性
机译:使用AlSb界面失配阵列在GaAs衬底上生长的InAs / GaSb超晶格光电探测器的性能评估
机译:1.55μm气体/ allab使用界面错入(IMF)阵列在GaAs基板上生长的MQW二极管激光器
机译:基于界面失配位错阵列的生长模式,用于演示硅上单片集成的光学泵浦锑化物激光器。
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:GaSb / GaAs异质结上生长的GaSb / AlGaSb量子阱的光谱和瞬态发光测量,带有和不带有界面不匹配阵列
机译:有机金属气相外延生长的N-alGasb和Gasb / alGasb双异质结构激光器