首页> 外文期刊>Electronics Letters >Design of four-state inverter using quantum dot gate-quantum dot channel field effect transistor
【24h】

Design of four-state inverter using quantum dot gate-quantum dot channel field effect transistor

机译:利用量子点栅-量子点沟道场效应晶体管的四态逆变器设计

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Quaternary logic can be implemented using quantum dot gate-quantum dot channel field effect transistors (QDG-QDCFETs) which produce four states in their transfer characteristics. A circuit model is used to simulate a four-state state inverter which is the basic building block of any multi-valued logic (MVL) circuit design. A basic problem of MVL implementation is the noise margin. The stable nature of the transfer characteristics of the QDG-QDCFET can make them a promising circuit element in future MVL circuit design. Comparison of fabricated device characteristics and the model data is shown.
机译:可以使用量子点栅极-量子点通道场效应晶体管(QDG-QDCFET)来实现四元逻辑,该量子点栅极-量子点通道场效应晶体管会在其传输特性中产生四个状态。电路模型用于模拟四态状态逆变器,该逆变器是任何多值逻辑(MVL)电路设计的基本构建块。 MVL实现的基本问题是噪声容限。 QDG-QDCFET传输特性的稳定特性可以使其成为未来MVL电路设计中很有希望的电路元件。显示了制造的器件特性和模型数据的比较。

著录项

  • 来源
    《Electronics Letters》 |2013年第18期|1131-1133|共3页
  • 作者

    S. Karmakar;

  • 作者单位

    Department of Electrical and Computer Engineering, University of Connecticut, 371 Fairfield Way, U-2157, Storrs, CT 06269, USA;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号