GaN-Leistungsbausteine

摘要

Im Vergleich zu herkömmlichen Topologien besitzt die GaN-auf-Si-Schaltung die geringste Anzahl an schnellen Leistungsbausteinen und ermöglicht die widerstandsärmsten Strompfade ohne jeglichen Dioden-Spannungsabfall, wodurch modernste Umwandlungseffizienz erreicht wird.