INFINEON AMÉLIORE LE FACTEUR DE MÉRITE DE SES DIODES SCHOTTKY 650V EN SiC

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INFINEON AMÉLIORE LE FACTEUR DE MÉRITE DE SES DIODES SCHOTTKY 650V EN SiC

机译：INFINEON改善其肖特基650V SiC二极管的品质因数

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Avec la famille CoolSiC G6, Infineon Technologies introduit sa sixième génération de diodes Schottky en carbure de silicium. Ces diodes de 650 V sont le complément des familles CoolMOS 7 de Mosfet à superjonction de 600V et 650V de l'allemand. Adoptant une nouvelle structure cellulaire, les diodes CoolSiC G6 affichent une tension directe (V_F).

机译：英飞凌科技公司通过CoolSiC G6系列推出其第六代由碳化硅制成的肖特基二极管。这些650 V二极管是Mosfet的CoolMOS 7系列的补充，具有德国制造的600V和650V的超结。采用新的电池结构，CoolSiC G6二极管显示直流电压（V_F）。

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《Electronique》 |2017年第86期|12-12|共1页
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