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【24h】

Department of Energy funds GaN research to replace silicon in power electronics

机译:能源部资助GaN研究以替代电力电子中的硅

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摘要

The Department of Energy is going to spend up to $32 million to fund 16 R&D programs aimed at improving semiconductor power performance. The benefits should be widespread, but the DoE's key concern is helping to improve data center efficiency.
机译:能源部将斥资3200万美元资助16个旨在提高半导体功率性能的研发计划。好处应该是广泛的,但是DoE的主要关注点是帮助提高数据中心的效率。

著录项

  • 来源
    《Electronic products》 |2017年第3期|7-8|共2页
  • 作者

    Brian Santo;

  • 作者单位
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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