アイテスが断面からのエミッション発光解析とTEMによるLEDのリーク解析の手法を開発

摘要

LEDチップにはいろいろなrnタイプの構造があるが，LSIとrn違い発光層の上層に数十μm厚rnの電流拡散層が形成されているrnものも多い。そういったLEDrnのリーク解析では，リーク箇所rnがチップの深いところにあるたrnめFIBによる試料加工が困難でrnあり，TEMを用いたピンポイrnントでの物理的観察が困難であrnった。今回，断面からの発光解rn析によりFIBによるアプローチrnを可能にし，TEM観察によっrnてリーク不良の詳細な原因を明rnらかにする手法を開発した。