机译:III-V异质结构纳米线隧道FET
Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden;
Logic gates; Nanoscale devices; Photonic band gap; Silicon; Substrates; Temperature measurement; Tunneling; GaSb; III-V; InAs; Tunnel field effect transistors (TFET); broken gap;
机译:具有均质和异质结构隧道结的硅锗纳米线隧道FET
机译:III-V基于半导体交错异质结和INAS纳米线(NW)隧道FET的模拟/射频和线性性能模拟和比较研究
机译:通过降低双极性,利用SiGe / Si异质结构纳米线TFET改善了隧道FET逆变器性能
机译:III-V纳米线的一维异质结构和共振隧穿
机译:锗/硅异质结构纳米线和III-V组纳米线,用于低功率高性能纳米电子学。
机译:垂直栅全能纳米线GaSb-InAs核壳n型隧道FET
机译:III-V异质结构纳米线隧道FET
机译:带隙窄化和III-V异质结构FET。