...
机译:首先是从空闲状态退出的TLC 3D-NAND闪存中临时读取错误的证据
Univ Ferrara Dipartimento Ingn I-44122 Ferrara Italy;
Microsemi Corp Flash Signal Proc Labs I-20871 Vimercate Italy;
Microsemi Corp Flash Signal Proc Labs I-20871 Vimercate Italy;
Univ Ferrara Dipartimento Ingn I-44122 Ferrara Italy;
3D-NAND flash; characterization; fail bits; read errors; reliability; solid-state drives (SSD);
机译:3D NAND闪存中临时读取错误的分析与优化
机译:用于热/冷数据混合应用的TLC NAND闪存的系统级读取干扰抑制技术
机译:3-D充电陷阱NAND闪存中的保留相关读干扰误差:观察,分析和解决方案
机译:多功能的TLC NAND闪存控制可将读取干扰错误减少85%,并将读取周期延长6.7倍,适用于云数据中心的读写热数据和冷数据
机译:TLC闪存的特性。
机译:9月11日的恐怖袭击事件的长期记忆:Flashbulb MemoriesEvent Memories以及影响其保留的因素
机译:读取mLC NaND闪存中的干扰错误:表征,缓解和恢复