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机译:长波长(0.1-1.6μm)In / sub 0.53 /(Ga / sub x / Al / sub 1-x /)/ sub 0.47 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As MSM光电二极管
机译:n-Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As上具有p / sup +/- Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As盖层的低暗电流准肖特基势垒MSM光电二极管结构
机译:使用In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_xGa_(1-x)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As量子阱的平面型隧道FET的设计和性能
机译:新型室温多铁化合物Pb(Fe_(1/2)Ta_(1/2))_ x(Zr_(0.53)Ti_(0.47))_(1-x)O_3和Pb(Fe_( 1/2)Nb_(1/2))_ x(Zr_(0.53)Ti_(0.47))_(1-x)O_3
机译:在In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As光电二极管和In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As HEMT上的单片集成,用于长波长OEIC应用
机译:与n-GaAs和n-In(0.53)Ga(0.47)As的欧姆接触:一种热力学方法。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:对(NH4)(2)S钝化(22%,10%,5%或1%)的Al2O3 / In0.53Ga0.47As / InP系统的n型和p型钝化性能的系统研究In0.53Ga0.47As外延层
机译:理解应变在p型In(x)Ga(1-x)as(Gaas衬底)和In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as(on on)上的孔隙尺寸裁剪中的作用的理论形式Inp substrates)调制掺杂场效应晶体管