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机译:氢化和未氢化多晶硅薄膜晶体管中源漏电流的活化能
机译:电应力作用下氢化/未氢化多晶硅薄膜晶体管的异常行为
机译:反转层厚度对多晶硅薄膜晶体管的活化能和导通特性的影响
机译:借助于多晶硅缓冲层减少多晶硅薄膜晶体管的截止状态电流
机译:在未掺杂的氢化n沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)的两种不同电应力模式下的漏电流变化
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:自对准顶栅共面InGaZnO薄膜晶体管的横向载流子扩散和源漏串联电阻的研究
机译:通过固相结晶获得的原位掺杂未氢化多晶硅薄膜制造的薄膜晶体管