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机译:浅缺陷会导致MOSFET产生GR噪声
机译:基于重复动力循环应力下的低频噪声的SiC功率MOSFET的降解行为及缺陷分析
机译:精确提取陷阱深度,从而产生纳米MOSFET中的RTS噪声
机译:缺陷结构松弛对MOSFET中噪声测量解释的关键作用
机译:用于射频集成电路设计的纳米MOSFET的漂移偶极噪声模型。
机译:GaN中Eu-Mg缺陷的迟滞光致变色开关链接了Mg受体的浅瞬态和深基态
机译:硅衬底中等离子体诱导的缺陷位点产生及其对缩放MOSFET的性能下降的影响
机译:集成低噪声掩埋沟道mOsFET前置放大器技术。