Electrical characteristics of ferroelectric PZT thin films for DRAM applications

Moazzami R.; Hu C.

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Electrical characteristics of ferroelectric PZT thin films for DRAM applications

机译：DRAM应用中的铁电PZT薄膜的电气特性

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Ferroelectric lead zirconate titanate (PZT) films with as much as 2.5 times the storage capacity of the best reported silicon oxideitride/oxide (ONO) stacked dielectrics have been fabricated. A 2000-AA film with an effective SiO/sub 2/ thickness of 10 AA is demonstrated. Because of the extremely high dielectric constant ( epsilon /sub r/

机译：已经制造出铁电锆钛酸铅（PZT）薄膜，其存储容量是报告的最佳氧化硅/氮化物/氧化物（ONO）堆叠电介质的2.5倍之多。对有效SiO / sub 2 /厚度为10 AA的2000-AA膜进行了说明。由于极高的介电常数（ε/ sub r / <或大约= <1000），通过缩放铁电薄膜的厚度可以获得更大的存储容量，而ONO薄膜的厚度则受到直接隧穿穿过薄膜的限制。在低于250 kV / cm的电场下，所研究的PZT薄膜的导电性是欧姆性的，并且在较高的电场下遵循指数场依赖性，这与通过薄膜进行电子跳跃的简单模型是一致的。通过添加La和Fe来补偿薄膜中Pb和O的空位，对于4000-AA薄膜，在2.5 V时泄漏电流低至9 * 10 / sup -8 / A / cm / sup 2 /。为了确保可靠的DRAM操作，必须进一步改善漏电流和与时间有关的介电击穿特性。

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来源
《IEEE Transactions on Electron Devices 》 |1992年第9期| P.2044-2049| 共6页
作者
Moazzami R.; Hu C.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术 ;
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