机译:高性能雪崩光电二极管倍增层的设计注意事项
机译:双倍增层和双电荷层的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增特性的理论研究
机译:具有薄倍增层的低暗电流4H-SiC雪崩光电二极管的性能
机译:SAGCM InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管中电荷层设计注意事项
机译:优化硅和InGaAs / InP异质结构上的高性能雪崩光电二极管的吸收层和倍增层特性
机译:具有碰撞电离工程倍增区域的低噪声雪崩光电二极管。
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:基于时域建模的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增层厚度的性能相关性