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机译:用于将器件降级转换为CMOS数字电路降级的热载流子可靠性设计规则
机译:NBTI / PBTI对时序控制电路的影响以及纳米级CMOS SRAM中的耐劣化设计
机译:受$ hbox {HfO} _ {2} $栅极击穿和瞬态电荷陷阱效应影响的CMOS器件和电路性能下降
机译:用于数字电路应用的CMOS器件的高效区域布局设计
机译:在器件性能下降的情况下进行本地重新设计以提高CMOS数字电路的可靠性
机译:使用CMOS和新兴电阻器件的数字电路和系统的设计和测试
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:评估集成电路中基于sICR的薄膜电阻器的退化机制和电流限制设计规则
机译:混合CmOs /纳米器件集成电路设计与制造