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机译:具有低失真特性的新型GaAs功率MESFET,在栅极下方采用半绝缘的后退层
机译:具有非对称LDD结构的低失真,高输出功率脉冲掺杂GaAs MESFET
机译:具有非对称LDD结构的低失真,高输出功率脉冲掺杂GaAs MESFET
机译:具有非对称LDD结构的低失真,高输出功率脉冲掺杂GaAs MESFET
机译:具有低失真和高栅极-漏极击穿电压的新型高功率GaAs MESFET
机译:研究光子晶体中的杂质模式和研究功率GaAs MESFET。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:有源层–半绝缘衬底界面对GaAs MESFET组件的影响
机译:高击穿电压mEsFET,具有低温生长的Gaas钝化层和重叠栅极结构。 (重新公布新的可用性信息)