...
机译:重掺杂碳的InGaP / GaAs HBT,在基极电极下具有掩埋的多晶GaAs
机译:通过在非本征基极和集电极中使用埋入式SiO / sub 2 /和多晶GaAs降低基极-集电极电容的AlGaAs / GaAs HBT
机译:InGaP / GaAs弹道收集晶体管,其基极下方具有埋入式多晶GaAs
机译:具有WSi / Ti基电极和掩埋SiO / sub 2 /的小尺寸InGaP / GaAs HBT
机译:InGaP与叔丁基膦(TBP)的MOMBE生长及其在碳掺杂InGaP / GaAs HBT中的应用
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:α粒子辐照对InGaP / GaAs / Ge三结太阳能电池的影响
机译:在InP上生长用于HBT的重掺杂碳的GaAsSb