机译:溅射TiW栅电极和TEOS氧化物栅介质的新型硅场发射阴极结构
机译:高A /金属栅叠层p型金属氧化物硅硅场效应晶体管的阴极电子注入击穿模型和时变介电击穿寿命预测
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:栅电极/电介质界面对薄栅氧化物n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声的影响
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机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:片上准直栅电极的单金属纳米尖端阴极的场发射束特性