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机译:金属诱导的侧向结晶中硅化镍反应性晶界效应对晶粒长大机理的建模
Dept. of Electr. & Electron. Eng., Hong Kong Univ. of Sci. & Technol., China;
grain growth; grain size; crystallisation; nickel compounds; silicon; elemental semiconductors; annealing; grain boundaries; thin film transistors; semiconductor process modelling; impurities; semiconductor thin films; grain growth mechanism modeling;
机译:用柱状晶粒的镍基超合金热工作过程中DRX成核与晶粒边界凸出的机制和粒子旋转
机译:晶界状态和晶粒尺寸对亚微晶镍蠕变机理的影响
机译:晶界扩散在纳米晶镍晶粒生长中的作用
机译:晶粒,晶粒边界和晶粒边缘平均曲率的测量和建模及其在晶粒生长中的应用
机译:镍基高温合金晶间裂纹扩展中的晶界变形和损伤机理。
机译:晶体塑性模拟研究高压扭转镍单晶细化机理。
机译:正常晶粒长大过程中各向异性晶界特征分布发展机理